介電常數(shù)介質(zhì)損耗測(cè)試儀 介電常數(shù)測(cè)試儀

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀：GDAT-A

滿足標(biāo)準(zhǔn)：GBT 1409-2006測(cè)量電氣絕緣材料在工頻、音頻、高頻（包括米波波長(zhǎng)在內(nèi)）下電容率和介質(zhì)損耗因數(shù)的推薦方法

介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀用于科研機(jī)關(guān)、學(xué)校、工廠等單位對(duì)無(wú)機(jī)非金屬新材料性能的應(yīng)用研究。
二、技術(shù)指標(biāo)
  1．Q值測(cè)量
   a．Q值測(cè)量范圍：2～1023。
   b．Q值量程分檔：30、100、300、1000、自動(dòng)換檔或手動(dòng)換檔。
   c．標(biāo)稱誤差
項(xiàng)    目   GDAT-A
頻率范圍   20kHz～10MHz；
固有誤差   ≤5％±滿度值的2％；
工作誤差   ≤7％±滿度值的2％；
頻率范圍      10MHz～60MHz；
固有誤差   ≤6％±滿度值的2％；
工作誤差    ≤8％±滿度值的2％。
   2．電感測(cè)量范圍：14.5nH~8.14H
  
3．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀電容測(cè)量：1~ 460
項(xiàng)    目       GDAT-A
直接測(cè)量范圍     1～460pF
主電容調(diào)節(jié)范圍
準(zhǔn)確度  30～500pF；150pF以下±1.5pF；150pF以上±1％

   注：大于直接測(cè)量范圍的電容測(cè)量見使用規(guī)則
   4．介電常數(shù)介質(zhì)損耗試驗(yàn)儀信號(hào)源頻率覆蓋范圍
項(xiàng)     目     GDAT-A
頻率范圍：10kHz～50MHz
頻率分段（虛擬）10～99.9999kHz；100～999.999kHz；1～9.99999MHz；10～60MHz     

本儀器測(cè)試儀方法如下： 

儀器的測(cè)試準(zhǔn)備工作
先要詳細(xì)了解配用Q表的使用方法，操作時(shí)，要避免人體感應(yīng)的影響。
a. 把配用的Q表主調(diào)諧電容置于較小電容量。
 

b. 把本測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端子上。
 

c. 配上和測(cè)試頻率相適應(yīng)的高Q值電感線圈（本公司 Q表配套使用的LKI-1電感組能滿足要求），           如：1MHz 時(shí)電感取250uH，15MHz時(shí)電感取1.5uH。
 

d. 短按ON/OFF按鍵，打開液晶顯示屏。
 

e. 調(diào)節(jié)平板電容器測(cè)微桿，使平板電容器二極片相接為止，長(zhǎng)按SET按鍵將初始值設(shè)置為0。

4．介電常數(shù)Σ的測(cè)試

a. 再松開二極片，把被測(cè)樣品插入二極片之間，調(diào)節(jié)平板電容器，到二極片夾住樣品止（注意調(diào)節(jié)時(shí)要用測(cè)微桿，以免夾得過(guò)緊或過(guò)松），這時(shí)能讀取的測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值，既是樣品的厚度D2。改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表處于諧振點(diǎn)上。

b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q 表又失諧，此時(shí)調(diào)節(jié)平板電容器，使Q 表再回到諧振點(diǎn)上，讀取測(cè)試裝置液晶顯示屏上的數(shù)值記為D4

c. 計(jì)算被測(cè)樣品的介電常數(shù)：
                         Σ＝D2 / D4

5．介質(zhì)損耗系數(shù)的測(cè)試

a. 重新把測(cè)試裝置上的夾具插頭插入到Q 表測(cè)試回路的“電容”兩個(gè)端上。把被測(cè)樣品插入二極片之間，改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表處于諧振點(diǎn)上，讀得Q 值，記為Q2。電容讀數(shù)記為C2。

b. 取出平板電容器中的樣品，這時(shí)Q 表又失諧，再改變Q 表上的主調(diào)電容容量，使Q 表重新處于諧振點(diǎn)上。讀得Q 值，記為Q1。電容讀數(shù)記為C1。

c. 然后取下測(cè)試裝置，再改變Q 表上的主調(diào)電容容量，重新使之諧振，電容讀數(shù)記為C3，此時(shí)可計(jì)算得到測(cè)試裝置的電容為CZ = C3 －C1

d. 計(jì)算被測(cè)樣品的介質(zhì)損耗系數(shù)公式如下：
?

式中：CZ 為測(cè)試裝置的電容（平板電容器二極片間距為樣品的厚度D2）C0 為測(cè)試電感的分布電容               （參考LKI-1 電感組的分布電容值）